5.1. Dopage des semi-conducteurs :
La conductivité des semi-conducteurs peut être augmentée par l'addition d'impuretés, procédé appelé dopage.
Le dopage a pour but d'introduire des charges libres pouvant se déplacer facilement en appliquant une tension.
Les charges libres peuvent être soit positives, soit négatives, suivant la nature du dopage. Si les charges supplémentaires sont des électrons, le semi-conducteur dopé est négatif ou de type N. Si les charges supplémentaires sont positives (Manquent d'électrons), le semi-conducteur dopé est positif ou de type P.
Les dopeurs sont les éléments de la colonne (III) et de la colonne (V) de la classification périodique des éléments (Voir le tableau 1).
Tableau 1.1 : Pour les semi-conducteurs usuels (Si, Ge), les dopeurs utilisés sont :
|
III |
IV |
V |
|
B (Bore) |
C (Carbone) |
N (Azole) |
|
AI (Aluminium) |
Si (Silicium) |
P (Phosphore) |
|
Ga (Gallium) |
Ge (Germanium) |
As (Arsenic) |
|
In (Indium) |
|
Sb (Antimoine) |
Exemple : Soit des éléments pentavalents : Ayant 5 électrons périphériques :
L'Arsenic (As), l'Antimoine (Sb), le Phosphore (P), ...
Exemple : Soit des éléments trivalents : Ayant 3 électrons périphériques :
Exemples : Le Bore (B), le Gallium (Ga), l'Indium (In), ...
