Chapitre 1: Semiconducteurs

En physique des semi-conducteurs, une jonction PN désigne une zone du cristal où le dopage varie brusquement, passant d'un dopage P à un dopage N. Lorsque la région dopée P est mise en contact avec la région N, les électrons et les trous diffusent spontanément de part et d'autre de la jonction, créant ainsi une zone de déplétion où la concentration en porteurs libres est quasiment nulle. La largeur de la zone de déplétion varie avec la tension appliquée de part et d'autre de la jonction. Plus cette zone est courte, plus la résistance de la jonction est faible [1].

Ce chapitre est consacré aux semi-conducteurs, la jonction PN et autres thèmes relatifs au sujet.

BC : Bande de conduction
BI : Bande interdite
BV : Bande de valence 

[1] Kang, H., & Liu, S. (2003). The physics of semiconductor devices and their application in modern electronics. IEEE Transactions on Electron Devices, 50(6), 1257-1265. 
Cet article explique en détail le fonctionnement des jonctions PN, la diffusion des électrons et des trous, la formation de la zone de déplétion, ainsi que l'impact de la tension appliquée sur la largeur de cette zone et la résistance de la jonction.

[2] Ashcroft, N. W., & Mermin, N. D. (1976). Solid State Physics. Saunders College Publishing.
Ce livre traite des concepts fondamentaux de la physique des solides, y compris la répartition des électrons dans les bandes d'énergie, les bandes interdites et leur influence sur la conductivité et les propriétés électriques des matériaux.

[3] Kang, H., & Liu, S. (2003). The physics of semiconductor devices and their application in modern electronics. IEEE Transactions on Electron Devices, 50(6), 1257-1265.
Cet article explique en détail le fonctionnement des jonctions PN, la diffusion des électrons et des trous, la formation de la zone de déplétion, ainsi que l'impact de la tension appliquée sur la largeur de cette zone et la résistance de la jonction.